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DMN3404L
10000
f = 1MHz
10
1000
C iss
8
6
V DS = 15V
I D = 5.8A
100
C rss
C oss
4
10
2
1
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9 Typical Total Capacitance
30
0 0
2 4 6 8 10
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 10 Gate-Charge Characteristics
12
100
100
10
R DS(on)
Limited
10
R DS(on)
Limited
P W = 100μs
1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
1
0.1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
0.1
P W = 100μs
P W = 10ms
0.01
T A = +25°C
0.001
P W = 1ms
T J(max) = 150°C
T A = 25°C P W = 10μ s
Single Pulse
0.01
0.1 1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11 Safe Operation Area
100
T J(max) = 150°C
P W = 1ms
Single Pulse
Minimum
Recommended
Pad
0.1 1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12 Safe Operation Area
100
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
D = 0.02
R ? JA = 163°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
D = 0.005
t 2
T J - T A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Figure 13 Transient Thermal Response
DMN3404L
Document number: DS31787 Rev. 8 - 2
5 of 8
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
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